Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti : doktorska disertacija - Šunde, Viktor (V. Šunde ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1999)
Ključne riječi: učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET), mikromodel, makromodel, nadomjesna temperatura silicija, prijelazna toplinska impedancija, mjerenje temperature silicijeve pločice komponente, računanje vremenskog tijeka nadomjesne temperature silicija, računanje vremenskog tijeka gubitaka