Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti

Ključne riječi: učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET), mikromodel, makromodel, nadomjesna temperatura silicija, prijelazna toplinska impedancija, mjerenje temperature silicijeve pločice komponente, računanje vremenskog tijeka nadomjesne temperature silicija, računanje vremenskog tijeka gubitak...

Full description

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:14814/Similar
Glavni autor: Šunde, Viktor (-)
Ostali autori: Benčić, Zvonko (Thesis advisor)
Vrsta građe: Knjiga
Jezik: hrv
Impresum: Zagreb : V. Šunde ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1999.

APA stil citiranja

Šunde, V., & Benčić, Z. (1999). Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti: Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti : doktorska disertacija. Zagreb: V. Šunde ; Fakultet elektrotehnike i računarstva.

Chicago stil citiranja

Šunde, Viktor, and Zvonko Benčić. Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti: Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti : doktorska disertacija. Zagreb: V. Šunde ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1999.

MLA stil citiranja

Šunde, Viktor, and Zvonko Benčić. Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti: Izračunavanje gubitaka učinskih tranzistora s efektom polja za određivanje njihove strujne opteretivosti : doktorska disertacija. Zagreb: V. Šunde ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1999.