Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu : doktorska disertacija - Sviličić, Boris (B. Sviličić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2008)
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture modelirane su u svim područjima rada - akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničena pojedinih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture. Ključne riječi: silicij ni na čemu, potpuno osiromašeni MOSFET, vertikalni SONFET, kompaktni model, 2D model, napon praga, nagib u području ispod napona praga, sniženje barijere izazvano odvodom.