Utjecaj tehnoloških parametara bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje na vrijeme kašnjenja ECL invertora : završni rad - Crkvenac, Katarina (K. Crkvenac, 2017)
Sažetak na hrvatskom: U radu je prikazan tehnološki proces dobivanja tranzistora s horizontalnim tokom struje (engl. Horizontal Current Bipolar Transistor, HCBT). Tehnološki proces omogućava dobivanje optimalnih profila dopiranja u intrinzičnom tranzistoru. Opisan je rad emiterski vezane logike. Mjereni su ECL prstenasti oscilatori s različitim izvedbama HCBT-a.