Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS
Sažetak na hrvatskom: Prekapčanje tranzistora velikih snaga dovodi do stvaranja neželjenih elektromagnetskih smetnji. Galvanski izolirani upravljački krug je osmišljen i analiziran. Upravljački signal (PWM) moduliran je RF signalom i odašiljan na izlaz putem elektromagnetskog sprežnika koji galvansk...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:48699/Similar |
|---|---|
| Glavni autor: | Hormot, Filip (-) |
| Ostali autori: | Barić, Adrijan (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Drugo |
| Impresum: |
Zagreb,
F. Hormot,
2017.
|
| Predmet: |
APA stil citiranja
Hormot, F., & Barić, A. (2017). Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS: Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS : diplomski rad. Zagreb: F. Hormot.
Chicago stil citiranjaHormot, Filip, and Adrijan Barić. Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS: Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS : diplomski rad. Zagreb: F. Hormot, 2017.
MLA stil citiranjaHormot, Filip, and Adrijan Barić. Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS: Sklopovska analiza integriranog galvanski odvojenog upravljačkog sklopa za snažne tranzistore izvedenog u 0,18 mikrometarskoj visokonaponskoj tehnologiji CMOS : diplomski rad. Zagreb: F. Hormot, 2017.