Studij defekata uvedenih implantacijom niskoenergetskih kanaliziranih iona p31 u p-tip silicija : magistarski rad - Etlinger, Božidar (Zagreb : B. Etlinger, 1973)
Na vrhu nasl. str.: Sveučilište u Zagrebu.
Sveuč. u Zagrebu, Zagreb, 1973.
Bibliografija: listovi 67-70.
Summary: Study of defects in p-type silicon implanted with channeled lowe energy phosphorus ions.