|
|
|
|
| LEADER |
03098nam a22002537a 4500 |
| 005 |
20180619125216.0 |
| 008 |
111209s2011 ci ||||| |||| 00| 0 hrv d |
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 041 |
|
|
|a hrv
|b hrv
|b eng
|
| 044 |
|
|
|a ci
|
| 080 |
|
|
|9 1137
|a 621.38
|e 621.3
|h ELEKTROTEHNIKA
|j ELEKTRONIKA. ELEKTRONIČKI UREĐAJI. POLUVODIČI. FOTOĆELIJE. ELEKTRONIČKE CIJEVI. ROENTGEN. ELEKTRONIČKI UREĐAJI NA OSNOVI KRUTIH TVARI
|
| 080 |
|
|
|9 2920
|a 004.94
|e 004.9
|h Računalne tehnike u primjeni
|j Simulacija
|
| 080 |
|
|
|9 2733
|a 519.6
|e 519
|h KOMBINATORIKA. RAČUN VJEROJATNOSTI
|j NUMERIČKA ANALIZA. PROGRAMIRANJE RAČUNALA.
|
| 100 |
|
|
|9 39125
|a Grgec, Dalibor
|
| 245 |
|
|
|a Kvantnomehaničko modeliranje u Monte Carlo simulacijama MOS struktura
|b : doktorski rad /
|c Dalibor Grgec ; [mentor Petar Biljanović]
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b D. Grgec ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
|c 2011.
|
| 300 |
|
|
|a xi, 222 str. :
|b graf. prikazi ;
|c 30 cm
|e + CD
|
| 500 |
|
|
|a Na spor. nasl. str.: Quantum mechanical modelling in Monte Carlo simulations of MOS structures : doctoral thesis. - Doktorski rad je izrađen na Sveučilištu u Zagrebu Fakultetu elektrotehnike i računarstva, Zavodu za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave
|
| 504 |
|
|
|a Bibliografija: str. 188-201. - Kazalo oznaka i kratica: str. 206-216. - Kazalo pojmova: str. 217-218. - Sažetak na eng. i hrv.
|
| 520 |
|
|
|a U disertaciji je opisano jedno moguće rješenje unaprijeđenja Monte Carlo simulatora elektroničkih elemenata za simulaciju nanometarskih MOS struktura. Kvantnomehanički modeli za Monte Carlo simulatore elektroničkih elemenata su izvedeni, implementirani i validirani. Modeli su bazirani na pojednostavljenoj fizikalnoj teoriji, ali pažljivo usklađeni sa relevantnim mjerenjima testnih struktura. Implementirani modeli su uspješno validirani na MOS strukturama reprezentativnim za suvremene integrirane sklopove. Dobiveni rezultati su vjerodostojni te dobro usporedivi sa mjerenjima i drugim simulatorima. Dodatno računalno vrijeme simulacija uslijed implementiranih modela je umjereno i prihvatljivo. -
|b Ključne riječi: numerika, elektronika, element, modeliranje, simulacija, kvantnomehanički, Monte Carlo, MOS
|
| 520 |
|
|
|a One possible solution of improving Monte Carlo device simulators for simulation of nanometer scale MOS electron devices is described. Quantum models for Monte Carlo device simulators were developed, implemented and tested. Developed models are based on simplified physical theory, but carefully adjusted to match crucial measurements of test structures. Implemented models were successfully tested on MOS devices representative of contemporary integrated circuits. Obtained results were plausible and comparable with other simulators and measurements. The overhead simulation time due to model implementation is moderate and acceptable. -
|b Keywords: numeric, electronics, device, modelling, simulation, quantum mechanical, Monte Carlo, MOS
|
| 700 |
|
|
|4 ths
|9 4015
|a Biljanović, Petar
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|c D
|
| 999 |
|
|
|c 36857
|d 36857
|