Mikrovalno pojačalo s AlGaN/GaN tranzistorom s efektom polja
Sažetak na hrvatskom: Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te m...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:46602 |
|---|---|
| Glavni autor: | Karač, Marija (-) |
| Ostali autori: | Babić, Dubravko (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Drugo |
| Impresum: |
Zagreb,
M. Karač,
2015.
|
| Predmet: |