|
|
|
|
| LEADER |
03135nam a2200217 4500 |
| 003 |
HR-ZaFER |
| 005 |
20200122095850.0 |
| 008 |
191202b2019 ||||| |||| 00| 0 eng d |
| 999 |
|
|
|c 50693
|d 50693
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 041 |
|
|
|a eng
|
| 100 |
|
|
|9 35453
|a Berdalović, Ivan
|
| 245 |
|
|
|a Design of radiation-hard CMOS sensors for particle detection applications :
|b doctoral thesis /
|c Ivan Berdalović ; supervisor Tomislav Suligaj
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b I. Berdalović; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
|c 2019.
|
| 300 |
|
|
|a 120 str. :
|b ilustr. u bojama ;
|c 30 cm. +
|e CD
|
| 504 |
|
|
|a Bibliografija str. 109-116.
|
| 520 |
|
|
|a The work focuses on the design of large-scale radiation-hard monolithic CMOS sensors for the upgrades of the detectors in the high-energy physics experiments at CERN. The sensors are manufactured using a novel process modification implemented in the TowerJazz 180 nm CMOS process, which uses small collection electrodes to achieve a low sensor capacitance in the order of a few femtofarads, resulting in low noise and low analogue power consumption. The process modification provides full depletion of the sensitive layer and a radiation hardness promising to meet the requirements of the pixel detectors in CERN’s largest experiments. The sensors implement a matrix of small pixels (in the order of 30 micrometres) containing a fast, low-noise front-end amplifier and a novel asynchronous digital readout architecture. Measurement results from these sensors before and after irradiation are also discussed.
Keywords: Active pixel sensors, CMOS integrated circuits, position sensitive particle detectors, radiation effects, radiation hardening (electronics), semiconductor detectors, solid-state circuit design.
|
| 520 |
|
|
|a Rad se bavi projektiranjem monolitnih CMOS senzora otpornih na zračenje za primjenu u detektorima u eksperimentima fizike elementarnih čestica u CERN-u. Senzori su proizvedeni u novoj modifikaciji standardnog TowerJazz 180 nm CMOS procesa te koriste male sakupljačke elektrode kako bi se postigao mali kapacitet reda veličine nekoliko femtofarada, što omogućuje niske razine šuma i nisku analognu disipaciju snage. Modifikacija procesa omogućuje potpuno osiromašenje sloja za detekciju i time otpornost na zračenje koja može ispuniti zahtjeve piksel detektora u najvećim CERN-ovim eksperimentima. Senzori sadrže matricu malih piksela (reda veličine 30 mikrometara) koji osim sakupljačke elektrode sadrže brzo niskošumno pojačalo i novu asinkronu digitalnu logiku za očitavanje podataka iz piksela. Rad će također predstaviti rezultate mjerenja na proizvedenim sklopovima prije i poslije zračenja.
Ključne riječi: Aktivni piksel senzori, CMOS integrirani sklopovi, detektori čestica osjetljivi na položaj, efekti zračenja, otpornost (elektronike) na zračenje, poluvodički detektori, projektiranje poluvodičkih sklopova.
|
| 700 |
|
|
|4 ths
|9 38676
|a Suligaj, Tomislav
|
| 856 |
|
|
|u https://repozitorij.fer.unizg.hr/islandora/object/fer:6628/datastream/PDF/download
|z PDF cjeloviti tekst dostupan u repozitoriju DABAR
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|c D
|