Infra-crveni germanijski detektori sa slojem amorfnog bora

Sažetak na hrvatskom: Ovaj rad opisuje i sistematizira poluvodičke detektore za infracrveno zračenje. Opisuju se značajke amorfnog bora te analiziraju mehanizmi zaslužni za njegova izvrsna optička i električka svojstva. U programu Sentaurus TCAD modelira se sloj amorfnog bora na germaniju koji se za...

Full description

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:51475/Details
Glavni autor: Jelačić, Borna (-)
Ostali autori: Suligoj, Tomislav (Thesis advisor)
Vrsta građe: Drugo
Impresum: Zagreb, B. Jelačić, 2019.
Predmet:
LEADER 02105na a2200229 4500
003 HR-ZaFER
008 160221s2019 ci ||||| m||| 00| 0 hr d
035 |a (HR-ZaFER)ferid6771 
040 |a HR-ZaFER  |b hrv  |c HR-ZaFER  |e ppiak 
100 1 |a Jelačić, Borna  |9 40763 
245 1 0 |a Infra-crveni germanijski detektori sa slojem amorfnog bora :  |b diplomski rad /  |c Borna Jelačić ; [mentor Tomislav Suligoj]. 
246 1 |a Germanium infra-rad detectors with amorphous boron layer  |i Naslov na engleskom:  
260 |a Zagreb,  |b B. Jelačić,  |c 2019. 
300 |a 2 str. ;  |c 30 cm +  |e CD-ROM 
502 |b diplomski studij  |c Fakultet elektrotehnike i računarstva u Zagrebu  |g smjer: Elektronika, šifra smjera: 49, datum predaje: 2019-06-28, datum završetka: 2019-09-26 
520 3 |a Sažetak na hrvatskom: Ovaj rad opisuje i sistematizira poluvodičke detektore za infracrveno zračenje. Opisuju se značajke amorfnog bora te analiziraju mehanizmi zaslužni za njegova izvrsna optička i električka svojstva. U programu Sentaurus TCAD modelira se sloj amorfnog bora na germaniju koji se zatim koristi za simulacije lavinske fotodiode. Dioda se zatim optimizira u smislu probojnog napona i vremena odziva. Na kraju, analizira se i uspoređuje rad diode izvedene na germanijskoj podlozi i onoj od silicija. 
520 3 |a Sažetak na engleskom: This paper classifies and describes semiconductor infrared detectors. Then, it describes amorphous boron ( also called pureB) thin films and analyses the mechanisms that are responsible for its superb optical and electrical properties. The mentioned structure is modelled in Sentaurus TCAD software on germanium and then used to simulate properties of avalanche photodiode. The photodiode is the optimised to achieve better breakdown voltage and time response. In the end, the photodiode made on bulk germanium is compared to the one made on bulk silicon. 
653 1 |a germanij, infracrveno, amorfni bor, lavinska fotodioda 
653 1 |a germanium, infrared, amorphous boron, pureB, avalanche photodiode 
700 1 |a Suligoj, Tomislav  |4 ths  |9 17692 
942 |c Y 
999 |c 51475  |d 51475