Properties GaAs epitaxial layers grown in water vapour assisted transport process

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/nsk.NSK01000172851/Details
Matična publikacija: Fizika A (Zagreb)
4 (1995), 2 ; str. 217-224
Glavni autor: Varga, Szilard (-)
Ostali autori: Somogyi, Karoly (-)
Vrsta građe: Članak
Jezik: eng
Predmet:
LEADER 00914caa a2200277 ir4500
001 NSK01000172851
003 HR-ZaNSK
008 960923s1995 ci ||| ||eng
035 |9 (HR-ZaNSK)173053 
035 |9 (HR-ZaNSK)960923104 
035 |a (HR-ZaNSK)000172851 
040 |a HR-ZaNSK  |b hrv  |c HR-ZaNSK  |e ppiak 
041 0 |a eng  |b hrv 
080 |a 538.93 
100 1 |a Varga, Szilard 
245 1 0 |a Properties GaAs epitaxial layers grown in water vapour assisted transport process /  |c Szilard Varga and Karoly Somogyi. 
300 |b Ilustr. 
504 |a Bibliografija: 7 jed 
504 |a Sažetak 
653 0 |a Poluvodički epitaksijski slojevi 
700 1 |a Somogyi, Karoly 
773 0 |t Fizika A (Zagreb)  |x 1330-0008  |g 4 (1995), 2 ; str. 217-224  |w nsk.(HR-ZaNSK)000012252 
932 |a da  |b znanstveni rad 
981 |p CRO  |z B10/95 
998 |c lbao9801  |c ikak9801  |c lbap9902 
886 0 |2 unimarc  |b 00703iaa2 2200217 450