I-V characteristics of ionized cluster beam deposited Ag/n-Si(111) Schottky diode

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/nsk.NSK01000172939/Details
Matična publikacija: Fizika A (Zagreb)
4 (1995), 2 ; str. 403-412
Glavni autor: Cvikl, Bruno (-)
Ostali autori: Mrđen, Tomo (-)
Vrsta građe: Članak
Jezik: eng
Predmet:
LEADER 00932caa a2200277 ir4500
001 NSK01000172939
003 HR-ZaNSK
008 960924s1995 ci ||| ||eng
035 |9 (HR-ZaNSK)173141 
035 |9 (HR-ZaNSK)960924087 
035 |a (HR-ZaNSK)000172939 
040 |a HR-ZaNSK  |b hrv  |c HR-ZaNSK  |e ppiak 
041 0 |a eng  |b hrv 
080 |a 538.93 
100 1 |a Cvikl, Bruno 
245 1 0 |a I-V characteristics of ionized cluster beam deposited Ag/n-Si(111) Schottky diode /  |c Bruno Cvikl and Tomo Mrđen. 
300 |b Ilustr. 
504 |a Bibliografija: 8 jed 
504 |a Sažetak 
653 0 |a Schottkyjeva dioda  |a Strujno-naponske karakteristike 
700 1 |a Mrđen, Tomo 
773 0 |t Fizika A (Zagreb)  |x 1330-0008  |g 4 (1995), 2 ; str. 403-412  |w nsk.(HR-ZaNSK)000012252 
932 |a da  |b znanstveni rad 
981 |p CRO  |z B10/95 
998 |c lbao9801  |c ikak9801  |c lbai9902  |c lbap9902 
886 0 |2 unimarc  |b 00720iaa2 2200217 450