Granice primjene prijelazne toplinske impedancije učinskih komponenata s efektom polja

Ključne riječi: pijelazna toplinska impedancija, mjerenje temperature silicijeve pločice, učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET), bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom (IGBT), modeliranje toplinskog sustava poluvodičkog ventila, simulacija temperature silicijeve pločice...

Full description

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:14227
Glavni autor: Jakopović, Željko (-)
Ostali autori: Benčić, Zvonko (Thesis advisor)
Vrsta građe: Knjiga
Jezik: hrv
Impresum: Zagreb : Ž. Jakopović ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 1998.