|
|
|
|
| LEADER |
01617nam a2200241uu 4500 |
| 005 |
20190522100450.0 |
| 008 |
s1998 ci a |||||||||| ||hrv|d |
| 035 |
|
|
|a HR-ZaFER 15821
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 041 |
|
|
|a hrv
|
| 080 |
|
|
|a 621.38
|h ELEKTROTEHNIKA
|j ELEKTRONIKA. ELEKTRONIČKI UREĐAJI. POLUVODIČI. FOTOĆELIJE. ELEKTRONIČKE CIJEVI. ROENTGEN. ELEKTRONIČKI UREĐAJI NA OSNOVI KRUTIH TVARI
|e 621.3
|9 1137
|
| 080 |
|
|
|a 621.382.3
|h ELEKTRONIČKI UREĐAJI KOJI KORISTE EFEKTE ČVRSTOG TIJELA. POLUVODIČKI UREĐAJI
|j TRANZISTORI
|e 621.382
|9 1144
|
| 100 |
1 |
|
|9 9556
|a Jakopović, Željko
|
| 245 |
|
|
|a Granice primjene prijelazne toplinske impedancije učinskih komponenata s efektom polja :
|b doktorska disertacija /
|c Željko Jakopović ; [mentor Zvonko Benčić]
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b Ž. Jakopović ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
|c 1998.
|
| 300 |
|
|
|a 162 str. :
|b graf.prikazi ;
|c 30 cm.
|
| 504 |
|
|
|a Bibliografija str. 148-161.
|
| 520 |
|
|
|a Ključne riječi: pijelazna toplinska impedancija, mjerenje temperature silicijeve pločice, učinski tranzistor s efektom polja (MOSFET), bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom (IGBT), modeliranje toplinskog sustava poluvodičkog ventila, simulacija temperature silicijeve pločice
|
| 520 |
|
|
|a Keywords: transient thermal impedance, measurement of semiconductor's temperature, power MOSFET, isolated gate bipolar transistor (IGBT), semiconductor's thermal system modelling, simulation of semiconductor's temperature
|
| 700 |
|
|
|4 ths
|9 5648
|a Benčić, Zvonko
|
| 942 |
|
|
|c D
|2 udc
|
| 990 |
|
|
|a 15348
|
| 999 |
|
|
|c 14227
|d 14227
|