Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo ra...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:29901 |
|---|---|
| Glavni autor: | Perić, Mario (-) |
| Ostali autori: | Biljanović, Petar (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Knjiga |
| Jezik: | hrv |
| Impresum: |
Zagreb :
M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
2006.
|
Središnja knjižnica - KF
| Signatura: |
KF-4020 |
|---|---|
| Primjerak 24567 |
Dostupno |