Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo ra...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:29901/Similar |
|---|---|
| Glavni autor: | Perić, Mario (-) |
| Ostali autori: | Biljanović, Petar (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Knjiga |
| Jezik: | hrv |
| Impresum: |
Zagreb :
M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
2006.
|
APA stil citiranja
Perić, M., & Biljanović, P. (2006). Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu: Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu : magistarski rad. Zagreb: M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva.
Chicago stil citiranjaPerić, Mario, and Petar Biljanović. Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu: Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu : magistarski rad. Zagreb: M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006.
MLA stil citiranjaPerić, Mario, and Petar Biljanović. Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu: Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicij ni na čemu : magistarski rad. Zagreb: M. Perić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2006.