Utjecaj tehnoloških parametara bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje na vrijeme kašnjenja ECL invertora
Sažetak na hrvatskom: U radu je prikazan tehnološki proces dobivanja tranzistora s horizontalnim tokom struje (engl. Horizontal Current Bipolar Transistor, HCBT). Tehnološki proces omogućava dobivanje optimalnih profila dopiranja u intrinzičnom tranzistoru. Opisan je rad emiterski vezane logike. Mje...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:48294 |
|---|---|
| Glavni autor: | Crkvenac, Katarina (-) |
| Ostali autori: | Suligoj, Tomislav (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Drugo |
| Impresum: |
Zagreb,
K. Crkvenac,
2017.
|
| Predmet: |