Analiza fotodioda za detekciju ultraljubičaste svjetlosti

Sažetak na hrvatskom: U ovom završnom radu analizirali su se električki i optički parametri fotodiode ozračene ultraljubičastom svjetlošću. Promatralo se kako se mijenjaju gore navedeni parametri s promjenama dubine p područja, valnim duljinama i uključivanjem zaštitnih prstena u strukturu same foto...

Full description

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:49750/Details
Glavni autor: Petrina, Tina (-)
Ostali autori: Suligoj, Tomislav (Thesis advisor)
Vrsta građe: Drugo
Impresum: Zagreb, T. Petrina, 2017.
Predmet:
LEADER 02753na a2200229 4500
003 HR-ZaFER
008 160221s2017 ci ||||| m||| 00| 0 hr d
035 |a (HR-ZaFER)ferid5914 
040 |a HR-ZaFER  |b hrv  |c HR-ZaFER  |e ppiak 
100 1 |a Petrina, Tina 
245 1 0 |a Analiza fotodioda za detekciju ultraljubičaste svjetlosti :  |b završni rad /  |c Tina Petrina ; [mentor Tomislav Suligoj]. 
246 1 |a Analysis of Photodiodes for Detection of Ultraviolet Light  |i Naslov na engleskom:  
260 |a Zagreb,  |b T. Petrina,  |c 2017. 
300 |a 55 str. ;  |c 30 cm +  |e CD-ROM 
502 |b preddiplomski studij  |c Fakultet elektrotehnike i računarstva u Zagrebu  |g smjer: Elektronika, šifra smjera: 36, datum predaje: 2017-06-09, datum završetka: 2017-09-06 
520 3 |a Sažetak na hrvatskom: U ovom završnom radu analizirali su se električki i optički parametri fotodiode ozračene ultraljubičastom svjetlošću. Promatralo se kako se mijenjaju gore navedeni parametri s promjenama dubine p područja, valnim duljinama i uključivanjem zaštitnih prstena u strukturu same fotodiode. Od električnih parametara promatrali su se električno polje i električni potencijal te probojni napon kao zasebna tema. Od optičkih parametara analizirali su se odnosi fotostruja i tamnih struja o dubini p područja i valnoj duljini kao i sam odziv sustava te se prikazala optička generacija nosilaca. Za kraj su se analizirali svi gore navedeni parametri u fotodiodi sa zaštitnim prstenovima. 
520 3 |a Sažetak na engleskom: In this disertation we made electrical and optical simulations of photodiode radiated by ultravioler light. We analysed changes for electrical and optical parameters and their relations with changes of p layer depth, wavelenghts and with guard rings contained in photodiode structure. Electric field, electric potential, doping concentration and breakdown voltage as individual topic are electric parameters we researched here. For optical parameters we simulated photocurrents and dark currents in relation with p layer depth and wavelenghts, calculated responsivity and presented optical generation. In the end, we simulated all parameters described above in photodiode with guard rings . 
653 1 |a fotodioda  |a ultraljubičasta svjetlost  |a električno polje  |a električni potencijal  |a koncentracija primjesa  |a osiromašeno područje  |a fotostruja  |a tamna struja  |a odziv  |a optička generacija  |a proboj  |a probojni napon  |a udarna ionizacija  |a zaštitni prsten 
653 1 |a photodiode  |a ultraviolet light  |a electric field  |a electric potential  |a doping concentration  |a photocurrent  |a dark current  |a responsivity  |a optical generation  |a breakdown  |a breakdown voltage  |a impact ionization  |a guard ring 
700 1 |a Suligoj, Tomislav  |4 ths 
942 |c Z 
999 |c 49750  |d 49750