Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona
Sažetak na hrvatskom: U ovom diplomskom radu naglasak je bio stavljen na strukturu tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona kao sve upotrebljivijem poluvodičkom elementu u visokofrekvencijskoj elektronici zadnjih godina. U prvom dijelu rada objasnila se fizika same strukture - kako nastaje AlG...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:51462 |
|---|---|
| Glavni autor: | Petrina, Tina (-) |
| Ostali autori: | Suligoj, Tomislav (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Drugo |
| Impresum: |
Zagreb,
T. Petrina,
2019.
|
| Predmet: |
galij-nitrid
> tranzistor s visokom pokretljivost elektrona
> aluminij-galij-nitrid
> dvodimenzionalni elektronski plin
> polarizacija
> heterospoj
> potencijalna kvantna jama
> Fermijeva energija
> Schrödinger-Poissonova jednadžba
> kvadratna valna funkcija
> koncentracija nosilaca
> energetski nivo
> raspršenje elektrona
> fononi
> površinska hrapavost
> Coulombovo raspršenje
> pokretljivost elektrona
Gallium-Nitride
> high electron mobility transistor, Aluminium - Gallium - Nitride
> two dimensional electron gas
> polarization
> heterojunction
> potential quantum well
> Fermi's energy
> Schrödinger-Poisson's equation
> square wave function
> carrier concentration
> energy level
> electron scattering
> phonons
> surface roughness
> Coulomb scattering
> electron mobility
|