Slika naslovnice

Modeliranje elektrostatike i transporta nosilaca galij-nitridnih tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona

Sažetak na hrvatskom: U ovom diplomskom radu naglasak je bio stavljen na strukturu tranzistora s visokom pokretljivosti elektrona kao sve upotrebljivijem poluvodičkom elementu u visokofrekvencijskoj elektronici zadnjih godina. U prvom dijelu rada objasnila se fizika same strukture - kako nastaje AlG...

Full description

Permalink: http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:51462/Description
Glavni autor: Petrina, Tina (-)
Ostali autori: Suligoj, Tomislav (Thesis advisor)
Vrsta građe: Drugo
Impresum: Zagreb, T. Petrina, 2019.
Predmet:
galij-nitrid > tranzistor s visokom pokretljivost elektrona > aluminij-galij-nitrid > dvodimenzionalni elektronski plin > polarizacija > heterospoj > potencijalna kvantna jama > Fermijeva energija > Schrödinger-Poissonova jednadžba > kvadratna valna funkcija > koncentracija nosilaca > energetski nivo > raspršenje elektrona > fononi > površinska hrapavost > Coulombovo raspršenje > pokretljivost elektrona
Gallium-Nitride > high electron mobility transistor, Aluminium - Gallium - Nitride > two dimensional electron gas > polarization > heterojunction > potential quantum well > Fermi's energy > Schrödinger-Poisson's equation > square wave function > carrier concentration > energy level > electron scattering > phonons > surface roughness > Coulomb scattering > electron mobility

Slični primjerci