Modeliranje transporta elektrona u galij-nitridnim tranzistorima s efektom polja
Sažetak na hrvatskom: Cilj ovog rada je razvoj modela transporta nosilaca u GaN sloju MOS strukture s vrlo tankim tijelom te analiza promjene pokretljivosti pri niskim iznosima lateralnog polja s obzirom na skaliranje debljine GaN sloja i promjenu napona na upravljačkim elektrodama u slučajevima DG...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:45515 |
|---|---|
| Glavni autor: | Krivec, Sabina (-) |
| Ostali autori: | Suligoj, Tomislav (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Drugo |
| Impresum: |
Zagreb,
S. Krivec,
2014.
|
| Predmet: |