Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture modelirane su u svim područjima rada - akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je uspo...
| Permalink: | http://skupni.nsk.hr/Record/fer.KOHA-OAI-FER:31580 |
|---|---|
| Glavni autor: | Sviličić, Boris (-) |
| Ostali autori: | Biljanović, Petar (Thesis advisor) |
| Vrsta građe: | Knjiga |
| Jezik: | hrv |
| Impresum: |
Zagreb :
B. Sviličić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
2008.
|