|
|
|
|
| LEADER |
02952nam a2200241uu 4500 |
| 005 |
20190214143022.0 |
| 008 |
s2008 ci a |||||||||| ||hrv|d |
| 035 |
|
|
|a HR-ZaFER 36000
|
| 040 |
|
|
|a HR-ZaFER
|b hrv
|c HR-ZaFER
|e ppiak
|
| 041 |
|
|
|a hrv
|
| 080 |
|
|
|a 621.38
|h ELEKTROTEHNIKA
|j ELEKTRONIKA. ELEKTRONIČKI UREĐAJI. POLUVODIČI. FOTOĆELIJE. ELEKTRONIČKE CIJEVI. ROENTGEN. ELEKTRONIČKI UREĐAJI NA OSNOVI KRUTIH TVARI
|e 621.3
|9 1137
|
| 080 |
|
|
|a 621.382.3
|h ELEKTRONIČKI UREĐAJI KOJI KORISTE EFEKTE ČVRSTOG TIJELA. POLUVODIČKI UREĐAJI
|j TRANZISTORI
|e 621.382
|9 1144
|
| 100 |
1 |
|
|9 30364
|a Sviličić, Boris
|
| 245 |
|
|
|a Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji silicija ni na čemu :
|b doktorska disertacija /
|c Boris Sviličić ; [mentor Petar Biljanović]
|
| 260 |
|
|
|a Zagreb :
|b B. Sviličić ; Fakultet elektrotehnike i računarstva,
|c 2008.
|
| 300 |
|
|
|a VII, 147 str. :
|b graf. prikazi, formule ;
|c 30 cm +
|e CD
|
| 504 |
|
|
|a Bibliografija str. 136-140
|
| 520 |
|
|
|a Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture modelirane su u svim područjima rada - akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničena pojedinih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.
Ključne riječi: silicij ni na čemu, potpuno osiromašeni MOSFET, vertikalni SONFET, kompaktni model, 2D model, napon praga, nagib u području ispod napona praga, sniženje barijere izazvano odvodom.
|
| 520 |
|
|
|a The capacitance-voltage characteristics of the VFD SONFET are modeled in all operating conditions - accumulation, depletion and inversion. The VFD SONFET compact and 2D models for the critical subthreshold parameters are developed. The accuracy of the analytical models is verified by comparison to the numerical device simulator Medici, over a wide range of different device structures. Optimization of structure conducted on the basis of the detailed analysis of the technological parameters' influence. Compact and 2D models for the long channel and short channel structures are compared. The lateral SONFET compact model is compared to a VFD SONFET, and the advantages of vertical structures are pointed out.
Key words: Silicon-on-Nothing, fully-depleted MOSFET, vertical SONFET, compact model, 2D model, threshold voltage, subthreshold slope, DIBL.
|
| 700 |
|
|
|4 ths
|9 4015
|a Biljanović, Petar
|
| 942 |
|
|
|c D
|2 udc
|
| 990 |
|
|
|a 32649
|
| 999 |
|
|
|c 31580
|d 31580
|